5个工作日“四证齐发”，“芯未项目”在成都高新西区开工建设

       8月8日，在成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目的施工现场，成都高投芯未半导体有限公司负责人胡强博士一次性领取了《建设用地规划许可证》《建设工程规划许可证》《建筑工程施工许可证》以及《不动产权证书》“四证”，随即启动项目快速建设工作，预计明年8月即可建成投产。

      工业项目从拿地到动工建设一般需花费约150个自然日，芯未项目则用时不到5个工作日，全面刷新了拿地建设时间纪录。深化“标准地”改革，推行“拿地即开工”营商环境优化是成都高新区当前正全力推进的重要方针，芯未半导体作为支撑产业建圈强链的重要支柱，建成后将为高新西区后续项目快速落地提供榜样示范。

       芯未半导体负责人胡强博士表示：在国家出台系列政策支持半导体产业发展的大背景下，以IGBT为代表的功率半导体行业市场迎来了广阔的发展前景。项目总投资约10亿元，建成投产后将为功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务，包括IGBT芯片、模组及方案组件产品等。

      成都高投芯未半导体有限公司，由成都高新发展股份有限公司出资设立，主要从事IGBT（绝缘栅双极型晶体管）高端功率半导体芯片及产品的生产，一期将建设一条8英寸超薄IGBT特色背面晶圆线，一条高端功率半导体集成封装生产线。成为我国IGBT芯片领域的重要发展力量。